半导体探测器的工作原理：在半导体的PN结区载流子很少，当带电粒子射入结区后，损失能量，形成电子-空穴对，在外加电场的作用下，电子和空穴向两极漂移，于是在输出回路中形成电信号。

目前半导体探测器主要有两类，一类是PN结半导体探测器，它包括扩散结半导体探测器、面垒型半导体探测器和离子注入型半导体探测器。另一类是锂漂移探测器。目前我国的结型半导体探测器主要是金硅面垒探测器。

金硅面垒探测器适合于α射线及α能谱的测量。为了较少反向电流，锗锂漂移探测器要在低温（液氮）下保存和工作。

高纯锗探测器是利用高纯材料可以制作出耗尽层较厚的PN结探测器的原理制成的。它需要在底温下使用，但不需要在低温下保存。

硅（锗）锂漂移探测器与高纯锗探测器的测量性能相似，都可用于探测β射线和低能γ射线，适于测量γ射线的能谱。如扫描式全身计数器（WBC）使用高纯锗探测器。

半导体探测器的优点：

1) 能量分辨率高。适于谱仪测量系统；

2) 能量线性范围宽；

3) 金硅面垒探测器还具有脉冲上升时间快，体积小等优点。

主要缺点是：

1) 易产生辐照损伤；

2) 输出脉冲幅度小；

3) 对测量线路要求高；

4) 性能受温度影响等。