当辐射粒子穿进物质,并和物质中电子相互作用时,辐射粒子把 能量传给电子。如 果电子获得的能量大于它的结 合能时,电子 就离开原来 的运动 轨迹成为 自由电子 ,而原变成带电离子,这一过程就 称为 电离辐 射效应。质子 、电子和其 他带 电粒子都 能引起 电离效 应 。而丫射线 ,特别是丫射线 ,更易引起物质的电离效应。电离效应实质上产生了电子一空穴对,有时甚 至 还产生二次 电子和三次电子。 因此 电离效应会使绝缘材料的电导率升高。电离能量可以起到催化剂作用,引起材料的化学变化 ,或改变材料 的分子结构。电离辐射对硅器件的影响主要有以下三个机理氧化层中被俘获电荷的积累硅一二氧化硅界面上表面态密度的增加随着电子空穴对的产生 ,在反偏结附近 瞬时 光 电流。前两个机理对主要受表面控制的器件影响最大。它会导致器件永久性辐射效应,即辐射消失后 ,辐射引起的性能改变并不恢复。而辐射产生的光电流 , 除非它足够大,以至烧断引线而造成永久性失效 ,否则 , 光电流的影响会随着辐 射的消 失而 自行消失 。