1.物理方法——γ谱仪法

     在放射性核素比活度的测量中，广泛使用NaI（Tl）闪烁γ谱仪和Ge（Li）、HpGe半导体γ谱仪。闪烁γ谱仪装置成本低、探测效率高、保管较为方便、不用液氮养护。但能量分辨率较差，因而难于胜任分析核素较多、谱线较复杂的样品。而半导体γ谱仪比γ闪烁谱仪的分辨率要高、线性好，特别是HpGeγ谱仪克服了需要在低温下保存的缺点，因此是迄今为止被认为是最佳γ谱仪。

（1）半导体探测器工作的基本原理

     辐射粒子射入半导体结区后，很快损失掉能量，使电子由满带到空带上去，于是在空带中有了电子，在满带中失去电子留下空穴。在电场作用下，电子和空穴分别向两极漂移，于是输出四路中形成信号。当电场足够强时，输出信号的幅度与带电粒子在结区内消耗的能量成正比。如果带电粒子的全部能量都消耗在结区，则通过测量信号脉冲幅度，就可以测量带电粒子的能量。知道探测器的探测效率就可以确定某能量γ射线的强度，进而可知道样品放射性核素的的活度，活度除以样品的质量，即可求得样品放射性的比活度。